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本征非晶硅薄膜钝化晶体表面特性的DLTS分析
以SiH4和H2作为气源, 采用热丝化学气相沉积法制备a-Si∶H薄膜钝化c-Si表面, 采用准稳态光电导法和I-V法分析了工艺参数对钝化效果......
期刊
薄膜
非晶硅钝化
表面缺陷
DLTS
激活能
俘获截面
thin films
amorphous silicon passivation
surface def
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